Investigation of parameters of new MAPD-3NM silicon photomultipliers

F. Ahmadov, G. Ahmadov, R. Akbarov, A. Aktag, E. Budak, E. Doganci, U. Gurer, M. Holik, A. Kahraman, H. Karaçali, S. Lyubchyk, A. Lyubchyk, S. Lyubchyk, A. Mammadli, F. Mamedov, S. Nuruyev, P. Pridal, A. Sadigov, Z. Sadygov, O. UrbanE. Yilmaz, O. Yilmaz, J. Zich

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Resumo

In the presented work, the parameters of a new MAPD-3NM-II photodiode with buried pixel structure manufactured in cooperation with Zecotek Company are investigated. The photon detection efficiency, gain, capacitance and gamma-ray detection performance of photodiodes are studied. The SPECTRIG MAPD is used to measure the parameters of the MAPD-3NM-II and scintillation detector based on it. The obtained results show that the newly developed MAPD-3NM-II photodiode outperforms its counterparts in most parameters and it can be successfully applied in space application, medicine, high-energy physics and security.

Idioma originalInglês
Número do artigoC01001
RevistaJournal of Instrumentation
Volume17
Número de emissão1
DOIs
Estado da publicaçãoPublicadas - jan. 2022

Nota bibliográfica

Publisher Copyright:
© 2022 IOP Publishing Ltd and Sissa Medialab.

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